簡介：
STT-MRAM為通用的非揮發性記憶體，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統記憶體，但同時又有非揮發性的優點，STT-MRAM成為綜合了傳統記憶體與快閃記憶體的最佳新世代記憶體選擇方案。

Netsol的STT-MRAM在嵌入式記憶體應用之中，可以取代快閃記憶體、EEPROM和SRAM，可廣泛用於汽車、儲存、工廠自動化、物聯網、智慧能源、醫療、遊戲和工業機器控制/運算等應用。

STT-MRAM 本身是真正的隨機存取記憶體，可在記憶體中進行隨機讀取和寫入。
MRAM 還具備待命時零洩漏的特點，可承受 1016 次寫入週期，且在 85°C 下資料可保存超過 20 年。STT-MRAM 特別適合必須以最短延遲來儲存和取得資料的應用。此技術不但具備此種短延遲的特性，還結合了低功率、無限耐久性、可擴充性和非揮發性等特點。此外，STT-MRAM 對 α 粒子固有的耐受性，也相當適合用於經常暴露於輻射的元件。