Netsol STT-MRAM 推出64Mb Quad SPI STT-MRAM , 全系列1Mb~64Mb電壓除支援1.8V外也支援3.3V，有樣品需求，歡迎來電索取。
韓國無晶圓廠內存半導體設計公司 Netsol 宣布，它開發了該國首款 STT-MRAM，這是一種下一代內存芯片。
STT-MRAM 是一種先進的磁阻類型，它利用電子自旋的磁性在半導體中提供非易失性。
STT-MRAM 最近由三星電子公司的代工廠製造，專家表示這表明半導體行業的大企業和小公司之間的合作夥伴關係不斷加強。
Netsol 成立於 2010 年，開發和銷售非商品內存產品。這些產品被命名為異步快速 SRAM、低功耗 SRAM 和同步 SRAM 等。
得益於三星代工廠的 28 納米 FD-SOI 工藝，Netsol 的 SST-MRAM 具有低功耗和更緊湊的尺寸。
當今許多嵌入式設計都需要電池或電容器來防止發生電源故障時記憶丟失。” “借助新的 Netsol-MRAM，工業製造商節省了寶貴的電路板空間，但更重要的是，他們減少了無源元件的數量以及對當前較長交貨時間的依賴。”
 
來自 Netsol 的 MRAM 技術的發展在 CMOS 製造工藝之上集成了一個額外的磁隧道結層。存儲在該層中的數據是非易失性的。這樣，新的內存 IC 將低延遲與高速讀寫操作以及幾乎無限的重寫能力結合在一起。
 
在三星晶圓代工廠的幫助下，Netsol 以無與倫比的高良率在 28nm 製造工藝中推出了 STT-MRAM。這旨在降低成本，並為當今幾乎所有使用電池或電容器來防止數據丟失或具有一致且高數據記錄率的工業和嵌入式應用程序的廣泛使用。應用包括PLC，伺服驅動、人機介面，智能儀表、輪胎壓力監測系統、無人機飛行數據捕獲或超聲波和 MRI 掃描儀。